EPC2L120 時(shí)間：2025/5/22 12:12:29 閱讀：7

EPC2L120是Efficient Power Conversion (EPC) 公司推出的一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，適用于高頻、高效能的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比，EPC2L120能夠在更高的頻率下運(yùn)行，并提供更低的損耗。
　　EPC2L120采用芯片級(jí)封裝（CSP），這種封裝方式顯著減小了寄生電感，從而進(jìn)一步提升了其高頻性能。此外，由于其出色的熱特性和電氣性能，EPC2L120在DC-DC轉(zhuǎn)換器、無(wú)線充電、激光雷達(dá)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。

參數(shù)

額定電壓：100V
　　導(dǎo)通電阻：8.5mΩ
　　柵極閾值電壓：1.7V~3.6V
　　最大漏極電流：40A
　　封裝形式：CSP
　　工作溫度范圍：-55℃~+150℃

特性

EPC2L120是一款增強(qiáng)型GaN FET，其主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），使其在高功率密度應(yīng)用中具備優(yōu)異的效率表現(xiàn)。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)能力，支持MHz級(jí)別的開(kāi)關(guān)頻率，這有助于縮小無(wú)源元件的尺寸并降低系統(tǒng)成本。
　　3. 緊湊的芯片級(jí)封裝設(shè)計(jì)，有效減少寄生電感對(duì)性能的影響。
　　4. 良好的熱性能，能夠承受較寬的工作溫度范圍。
　　5. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能，增強(qiáng)了器件在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。
　　這些特性使得EPC2L120成為新一代高效能電源管理系統(tǒng)中的理想選擇。

應(yīng)用

EPC2L120因其卓越的性能而被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. DC-DC轉(zhuǎn)換器：用于服務(wù)器高效電源轉(zhuǎn)換。
　　2. 無(wú)線充電：支持更高功率和更快速度的無(wú)線充電解決方案。
　　3. 激光雷達(dá)（LiDAR）：為自動(dòng)駕駛和工業(yè)自動(dòng)化提供高速脈沖驅(qū)動(dòng)。
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：在電動(dòng)工具、無(wú)人機(jī)及其他小型電機(jī)控制系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高效驅(qū)動(dòng)。
　　5. 快速充電適配器：助力開(kāi)發(fā)更小、更輕且高效的充電設(shè)備。
　　通過(guò)利用其高頻和高效的特點(diǎn)，EPC2L120可以滿足眾多高性能需求的應(yīng)用場(chǎng)景。