時間：2025/4/29 14:09:25
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DMN61D9UDWQ 是一款 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 UltraMOS 技術制造。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于多種高效能應用場合，例如 DC-DC 轉換器、負載開關、電機驅動以及電源管理等。其封裝形式為 DPAK（TO-252），能夠提供良好的散熱性能。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：34A
導通電阻：1.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 時）
柵極電荷：28nC（典型值）
開關速度：快速
工作結溫范圍：-55°C 至 +175°C
封裝類型：DPAK（TO-252）
DMN61D9UDWQ 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻，有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關能力，適合高頻開關應用。
3. 高電流處理能力，支持大功率設計。
4. 寬溫度范圍操作，適應惡劣環(huán)境條件。
5. 具備出色的熱性能，確保長時間穩(wěn)定運行。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且滿足現代工業(yè)要求。
這款 MOSFET 廣泛應用于以下領域：
1. 電信設備中的 DC-DC 轉換電路。
2. 工業(yè)自動化控制中的電機驅動和電磁閥驅動。
3. 計算機及外設的負載開關。
4. 消費類電子產品中的電源適配器和充電器。
5. 新能源汽車的電池管理系統(tǒng)（BMS）。
6. LED 照明驅動電源。
7. 多種高效能功率轉換應用。
DMN61D9UFG, DMN61D9UFQ
