EMH6T2R 是一款高性能的功率MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的場景。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備出色的電氣性能和可靠�,適合各種工�(yè)和消�(fèi)類電子應(yīng)用�
這款功率MOSFET通常被用于電源管�、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載切換以及其他高效率需求的電路�(shè)�(jì)中。它支持高頻開關(guān)操作,并具有較低的導(dǎo)通損�,使其成為節(jié)能型�(shè)�(jì)的理想選擇�
型號:EMH6T2R
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源電壓)�60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�2.5mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):140A
Qg(柵極電荷)�70nC
fSW(開�(guān)頻率):最高可�(dá)500kHz
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55� � +175�
EMH6T2R 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on) = 2.5mΩ�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
2. 高額定電流能力(ID = 140A�,能夠滿足大功率�(yīng)用的需��
3. 快速開�(guān)速度,支持高�(dá)500kHz的工作頻�,非常適合高頻應(yīng)用�
4. 小巧的柵極電荷(Qg = 70nC�,降低了�(qū)動功��
5. 良好的熱性能,確保在高功率運(yùn)行時保持�(wěn)定��
6. 工作溫度范圍寬廣�-55℃至+175℃),適用于極端�(huán)境下的應(yīng)用�
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
EMH6T2R 的典型應(yīng)用場景包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器��
3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)或保�(hù)器件�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的高電流切換應(yīng)��
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率變換模��
EMH6T2RA, IRF840, FDP5500