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EMH6T2R 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 22:14:36 查看 閱讀�26

EMH6T2R 是一款高性能的功率MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的場景。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備出色的電氣性能和可靠�,適合各種工�(yè)和消�(fèi)類電子應(yīng)用�
  這款功率MOSFET通常被用于電源管�、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載切換以及其他高效率需求的電路�(shè)�(jì)中。它支持高頻開關(guān)操作,并具有較低的導(dǎo)通損�,使其成為節(jié)能型�(shè)�(jì)的理想選擇�

參數(shù)

型號:EMH6T2R
  類型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源電壓)�60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�2.5mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):140A
  Qg(柵極電荷)�70nC
  fSW(開�(guān)頻率):最高可�(dá)500kHz
  封裝形式:TO-247
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

EMH6T2R 具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on) = 2.5mΩ�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
  2. 高額定電流能力(ID = 140A�,能夠滿足大功率�(yīng)用的需��
  3. 快速開�(guān)速度,支持高�(dá)500kHz的工作頻�,非常適合高頻應(yīng)用�
  4. 小巧的柵極電荷(Qg = 70nC�,降低了�(qū)動功��
  5. 良好的熱性能,確保在高功率運(yùn)行時保持�(wěn)定��
  6. 工作溫度范圍寬廣�-55℃至+175℃),適用于極端�(huán)境下的應(yīng)用�
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

EMH6T2R 的典型應(yīng)用場景包括:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器��
  3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)或保�(hù)器件�
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的高電流切換應(yīng)��
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率變換模��

替代型號

EMH6T2RA, IRF840, FDP5500

emh6t2r推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
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emh6t2r資料 更多>

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emh6t2r參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝8,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�2 � NPN �(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�47k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�47k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)68 @ 5mA�5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 500µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�250MHz
  • 功率 - 最�150mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-563,SOT-666
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�EMT6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱EMH6T2R-NDEMH6T2RTR