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EMH11T2R 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 10:41:21 查看 閱讀�9

EMH11T2R 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及射頻放大器等�(lǐng)域。該器件采用增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,顯著提升了系統(tǒng)能效并減小了整體尺寸�
  EMH11T2R 的封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝封�,適合自動化生產(chǎn),并具備良好的散熱性能,使其在高功率密度應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��

參數(shù)

型號:EMH11T2R
  類型:增�(qiáng)� GaN 功率晶體�
  Vds(漏源電壓)�650V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�180mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):7A
  Qg(柵極電荷)�40nC
  Ciss(輸入電容)�1390pF
  Coss(輸出電容)�105pF
  Eoss(輸出能量)�10μJ
  Vgs(th)(柵極閾值電壓)�1.5V to 3V
  工作溫度范圍�-55°C to +150°C

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),確保高效率的能量�(zhuǎn)��
  2. 高速開�(guān)能力,支持高�(dá)�(shù)兆赫茲的工作頻率�
  3. �(nèi)置優(yōu)化的柵極�(qū)動電路,簡化了外部驅(qū)動設(shè)�(jì)并提高了可靠��
  4. 良好的熱性能,能夠承受長時間高負(fù)載運(yùn)��
  5. 集成保護(hù)功能,包括過流保�(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了系�(tǒng)的安全��
  6. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,同時支持高效散熱管理�
  7. �(wěn)定性高,在極端溫度條件下仍能保持一致的電氣性能�
  8. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�

�(yīng)�

EMH11T2R 主要用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)動與控制
  4. 射頻功率放大�
  5. 充電器及適配�
  6. 新能源汽車中的電力管理系�(tǒng)
  7. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高效率功率�(zhuǎn)換模�
  8. 可再生能源逆變�,如太陽能微逆變�

替代型號

EMH10T2R
  EMH12T2R
  GAN042-650WSB

emh11t2r推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

emh11t2r資料 更多>

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emh11t2r參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝8,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�2 � NPN �(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�10k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�10k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)30 @ 5mA�5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 500µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�250MHz
  • 功率 - 最�150mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-563,SOT-666
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�EMT6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱EMH11T2R-NDEMH11T2RTR