EMH11T2R 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及射頻放大器等�(lǐng)域。該器件采用增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,顯著提升了系統(tǒng)能效并減小了整體尺寸�
EMH11T2R 的封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝封�,適合自動化生產(chǎn),并具備良好的散熱性能,使其在高功率密度應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
型號:EMH11T2R
類型:增�(qiáng)� GaN 功率晶體�
Vds(漏源電壓)�650V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�180mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):7A
Qg(柵極電荷)�40nC
Ciss(輸入電容)�1390pF
Coss(輸出電容)�105pF
Eoss(輸出能量)�10μJ
Vgs(th)(柵極閾值電壓)�1.5V to 3V
工作溫度范圍�-55°C to +150°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),確保高效率的能量�(zhuǎn)��
2. 高速開�(guān)能力,支持高�(dá)�(shù)兆赫茲的工作頻率�
3. �(nèi)置優(yōu)化的柵極�(qū)動電路,簡化了外部驅(qū)動設(shè)�(jì)并提高了可靠��
4. 良好的熱性能,能夠承受長時間高負(fù)載運(yùn)��
5. 集成保護(hù)功能,包括過流保�(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了系�(tǒng)的安全��
6. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,同時支持高效散熱管理�
7. �(wěn)定性高,在極端溫度條件下仍能保持一致的電氣性能�
8. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�
EMH11T2R 主要用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)動與控制
4. 射頻功率放大�
5. 充電器及適配�
6. 新能源汽車中的電力管理系�(tǒng)
7. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高效率功率�(zhuǎn)換模�
8. 可再生能源逆變�,如太陽能微逆變�
EMH10T2R
EMH12T2R
GAN042-650WSB