3HX03FBC06GR 是一款由 ON Semiconductor 生產(chǎn)的高性能 N 溝道增強� MOSFET 芯片。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)用場合。其采用 TO-263 封裝形式,能夠有效降低熱阻并提升散熱性能�
該型號廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等場景中。通過�(yōu)化溝道設(shè)計和封裝工藝�3HX03FBC06GR 在效率和可靠性方面表�(xiàn)出色�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�3.1A
�(dǎo)通電阻:75mΩ
柵極電荷�9nC
開關(guān)時間:典型� 8ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
3HX03FBC06GR 具有以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可減少功率損耗并提高整體效率�
2. 快速開�(guān)能力,有助于在高頻應(yīng)用中保持�(yōu)異性能�
3. 高度可靠� TO-263 封裝形式,提供良好的機械�(wěn)定性和熱傳�(dǎo)性能�
4. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件下的運行需��
5. �(nèi)置靜電放電(ESD)保護功�,增強了器件的耐用��
這款 MOSFET 器件適合于以下應(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載控制和保護電路�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電機驅(qū)動和繼電器替代方��
5. 各類消費電子�(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換模��
NTMFS4C63N, IRFZ44N