ELJRF4N7DFB 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率晶體管,適用于高頻開關(guān)�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),提供卓越的熱性能和電氣性能,適合高功率密度�(shè)��
該器件的主要特點是低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及出色的效率表�(xiàn),使其成為電源管�、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用的理想選擇�
類型:功率晶體管
材料:氮化鎵 (GaN)
最大漏源電壓:650 V
連續(xù)漏極電流�4 A
�(dǎo)通電阻:70 mΩ
柵極電荷�30 nC
開關(guān)頻率:最高支� 5 MHz
封裝:DFB(Direct Flip-Bond�
1. 基于氮化鎵技�(shù),具備更低的�(dǎo)通電阻和更高的效��
2. 支持高頻操作,能夠顯著減小無源元件的尺寸�
3. 先�(jìn)� DFB 封裝技�(shù)提供了優(yōu)異的散熱性能和電氣連接�
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,增�(qiáng)系統(tǒng)可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��
1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
2. 開關(guān)電源 (SMPS)
3. 電機(jī)�(qū)動和控制
4. 可再生能源逆變�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高頻功率轉(zhuǎn)換模�
ELJRF4N7DSB, ELJRF5N8DFB