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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > EL354N(A)(TA)-VG

EL354N(A)(TA)-VG 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 18:40:02 查看 閱讀�34

EL354N(A)(TA)-VG 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率晶體管,主要用于高頻開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和射頻放大器等應(yīng)�。該器件采用增強型常�(guān) (E-Mode) �(shè)計,具有高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度等特�。其封裝形式為行�(yè)標準的表面貼裝類�,適用于自動化生�(chǎn)和緊湊型�(shè)��
  EL354N(A)(TA)-VG 的核心優(yōu)勢在于其 GaN 材料特�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減小整體尺�,是傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的理想升級替代方��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�4A
  �(dǎo)通電阻:70mΩ
  柵極電荷�20nC
  開關(guān)頻率:最高可� 5MHz
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝類型:VFQFPN8

特�

1. 高效性能:得益于氮化鎵材料的獨特性質(zhì),EL354N(A)(TA)-VG 提供了更低的�(dǎo)通電阻和更快的開�(guān)速度,從而大幅降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗�
  2. 小型化設(shè)計:相比傳統(tǒng)的硅基器�,這款 GaN 晶體管能夠在更小的封裝中實現(xiàn)更高的功率密度�
  3. �(wěn)定性與可靠性:采用先進的制造工藝和保護機制,確保在高頻和高溫環(huán)境下依然保持�(wěn)定運��
  4. 寬廣的應(yīng)用場景:適用于消費電�、通信�(shè)備以及工�(yè)�(lǐng)域中的各種高效率需求場��
  5. 易于�(qū)動:兼容標準柵極�(qū)動信�,簡化了�(shè)計過��

�(yīng)�

1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  EL354N(A)(TA)-VG 的快速開�(guān)能力使其非常適合用于需要高效率的小型化�(zhuǎn)換器�(shè)計�
  2. 開關(guān)電源 (SMPS)�
  無論� AC-DC 還是 DC-DC �(yīng)�,該器件都能提供出色的能效表�(xiàn)�
  3. 射頻功率放大器:
  利用其高頻特性和低寄生效�(yīng),可廣泛�(yīng)用于無線通信�(lǐng)域的射頻放大電路�
  4. 快速充電適配器�
  支持更高功率密度的設(shè)�,有助于開發(fā)更小巧且高效的快充解決方��
  5. 工業(yè)�(qū)動器�
  在電機控制和其他工業(yè)�(qū)動應(yīng)用中,其高可靠性和低損耗特點也極具吸引��

替代型號

EL353N-VG, EPC2036, TXG010N10T4

el354n(a)(ta)-vg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

el354n(a)(ta)-vg�(chǎn)�

el354n(a)(ta)-vg參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格9,000 : �1.59295卷帶(TR�
  • 系列EL354N-G
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 通道�(shù)1
  • 電壓 - 隔離3750Vrms
  • 電流傳輸比(最小值)50% @ 1mA
  • 電流傳輸比(最大值)150% @ 1mA
  • 接� / �(guān)斷時間(典型值)-
  • 上升/下降時間(典型值)6μs�8μs
  • 輸入類型AC,DC
  • 輸出類型晶體�
  • 電壓 - 輸出(最大值)80V
  • 電流 - 輸出/通道-
  • 電壓 - 正向 (Vf)(典型值)1.2V
  • 電流 - DC 正向 (If)(最大值)50 mA
  • Vce 飽和壓降(最大)200mV
  • 工作溫度-55°C ~ 100°C
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-SMD,鷗�
  • 供應(yīng)商器件封�8-SOP