EL354N(A)(TA)-VG 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率晶體管,主要用于高頻開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和射頻放大器等應(yīng)�。該器件采用增強型常�(guān) (E-Mode) �(shè)計,具有高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度等特�。其封裝形式為行�(yè)標準的表面貼裝類�,適用于自動化生�(chǎn)和緊湊型�(shè)��
EL354N(A)(TA)-VG 的核心優(yōu)勢在于其 GaN 材料特�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減小整體尺�,是傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的理想升級替代方��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�4A
�(dǎo)通電阻:70mΩ
柵極電荷�20nC
開關(guān)頻率:最高可� 5MHz
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝類型:VFQFPN8
1. 高效性能:得益于氮化鎵材料的獨特性質(zhì),EL354N(A)(TA)-VG 提供了更低的�(dǎo)通電阻和更快的開�(guān)速度,從而大幅降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗�
2. 小型化設(shè)計:相比傳統(tǒng)的硅基器�,這款 GaN 晶體管能夠在更小的封裝中實現(xiàn)更高的功率密度�
3. �(wěn)定性與可靠性:采用先進的制造工藝和保護機制,確保在高頻和高溫環(huán)境下依然保持�(wěn)定運��
4. 寬廣的應(yīng)用場景:適用于消費電�、通信�(shè)備以及工�(yè)�(lǐng)域中的各種高效率需求場��
5. 易于�(qū)動:兼容標準柵極�(qū)動信�,簡化了�(shè)計過��
1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
EL354N(A)(TA)-VG 的快速開�(guān)能力使其非常適合用于需要高效率的小型化�(zhuǎn)換器�(shè)計�
2. 開關(guān)電源 (SMPS)�
無論� AC-DC 還是 DC-DC �(yīng)�,該器件都能提供出色的能效表�(xiàn)�
3. 射頻功率放大器:
利用其高頻特性和低寄生效�(yīng),可廣泛�(yīng)用于無線通信�(lǐng)域的射頻放大電路�
4. 快速充電適配器�
支持更高功率密度的設(shè)�,有助于開發(fā)更小巧且高效的快充解決方��
5. 工業(yè)�(qū)動器�
在電機控制和其他工業(yè)�(qū)動應(yīng)用中,其高可靠性和低損耗特點也極具吸引��
EL353N-VG, EPC2036, TXG010N10T4