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DS1746W-070IND+ 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 10:43:13 查看 閱讀�16

DS1746W-070IND+ � Maxim Integrated 生產(chǎn)的一款非易失性靜�(tài)隨機存取存儲器(NVSRAM�。該器件將高� SRAM 和非易失性鐵電存儲器(FRAM)結(jié)合在一�,能夠在系統(tǒng)掉電時自動保� SRAM 中的�(shù)�(jù)� FRAM �,從而確保數(shù)�(jù)的完整�。其典型�(yīng)用場景包括需要頻繁寫入且要求�(shù)�(jù)長期保存的工�(yè)、醫(yī)療和計量�(shè)��
  DS1746W-070IND+ 具有 512K x 8 的存儲容量,并采� SOIC 封裝形式,工作電壓范圍為 3.0V � 3.6V,適合低功耗應(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

存儲容量�512K x 8�
  接口類型:并�
  工作電壓�3.0V � 3.6V
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:SOIC
  �(shù)�(jù)保持時間:超�10�
  寫入周期:無限制
  訪問時間�70ns

特�

DS1746W-070IND+ 的主要特點是集成了非易失性存儲功能和高� SRAM 訪問性能。在正常操作�,用戶可以像使用普� SRAM 一樣進行快速讀寫操�。當(dāng)檢測到電源即將中斷時,內(nèi)置電路會自動� SRAM �(shù)�(jù)�(fù)制到非易失� FRAM 存儲器中,無需外部電池支持。這種�(shè)計使得它非常適合需要頻繁更新數(shù)�(jù)且要求斷電后�(shù)�(jù)不丟失的�(yīng)用場��
  此外,該芯片具有極高的耐久性和可靠�,F(xiàn)RAM 部分的寫入周期幾乎是無限�,因此不會因頻繁寫入而導(dǎo)致存儲單元失�。同�,其低功耗特性和寬泛的工作溫度范圍使其成為工�(yè)級和嵌入式系�(tǒng)的理想選��
  其他�(guān)鍵特性包括:
  - 自動�(shù)�(jù)保護機制
  - 快速訪問時�
  - 不需要后備電�
  - 高可靠性與長壽�
  - 符合 RoHS �(biāo)�

�(yīng)�

DS1746W-070IND+ 廣泛�(yīng)用于對數(shù)�(jù)可靠性和實時性要求較高的�(lǐng)�。典型應(yīng)用包括:
  - 工業(yè)控制中的�(shù)�(jù)記錄與配置存�
  - �(yī)療設(shè)備中的患者數(shù)�(jù)存儲
  - 儀表設(shè)備中的校準參�(shù)和測量數(shù)�(jù)保存
  - �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備中的狀�(tài)信息緩存
  - 嵌入式系�(tǒng)中的日志記錄功能
  由于其高可靠性和快速響�(yīng)能力,該芯片特別適合需要頻繁寫入數(shù)�(jù)但又不能接受�(shù)�(jù)丟失�(fēng)險的場合�

替代型號

DS1746B-070IND+, DS1746C-070IND+, DS1746W-070JND+

ds1746w-070ind+推薦供應(yīng)� 更多>

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