FV42N101J202ECG是一款由富士電機(jī)(Fuji Electric)生�(chǎn)的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù),主要適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其�(shè)�(jì)�(jié)合了低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,能夠在高效率的電源管理場景中提供卓越表�(xiàn)�
這款MOSFET采用了TO-252(DPAK)封裝形式,具有較小的體積和良好的散熱性能,非常適合空間受限的�(yīng)用環(huán)�。此�,它還支持廣泛的電壓和電流范圍,適合多種工業(yè)及消�(fèi)電子�(lǐng)域的需��
型號:FV42N101J202ECG
類型:N溝道 MOSFET
Vds(漏源極電壓):100V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值)�4.2mΩ
Id(持�(xù)漏極電流):80A
Vgs(th)(柵極閾值電壓)�2.3V~4.5V
Qg(總柵極電荷量)�25nC
fsw(最大開�(guān)頻率):500kHz
封裝:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍�-55� ~ +175�
FV42N101J202ECG具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
2. 快速開�(guān)能力,支持高�(dá)500kHz的工作頻�,非常適合高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源等應(yīng)��
3. 高額定電流(80A)和耐壓能力�100V�,使其能夠勝任高功率密度的設(shè)�(jì)需��
4. 良好的熱�(wěn)定�,工作溫度范圍寬�,確保在極端條件下也能可靠運(yùn)行�
5. 小巧的TO-252封裝,便于PCB布局和集成�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)要求�
FV42N101J202ECG廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是降壓或升降壓�?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
3. 電機(jī)�(qū)動電�,用于控制直流無刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
4. 充電器模�,如電動車充電器、手�(jī)快充適配器等�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率級控制�
6. LED�(qū)動器,用于大功率LED照明系統(tǒng)�
7. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)和切換功��
8. 可再生能源系�(tǒng),如太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換組��
FV42N100M202ECG, IRFZ44N, FDP5800