DS1249Y-070+ � Maxim Integrated 生產(chǎn)的一款非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)� (NVSRAM),結(jié)合了 SRAM 的高速性能和非易失性存�(chǔ)的特�。它具有集成的鋰電池,能夠在外部電源斷開�(shí)保持?jǐn)?shù)�(jù)完整性�
該芯片廣泛應(yīng)用于需要實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)及斷電后�(shù)�(jù)保護(hù)的場(chǎng)�,例如工�(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療設(shè)�、通信系統(tǒng)和數(shù)�(jù)記錄儀�64K x 8 bits
工作電壓�3.0V � 5.5V
待機(jī)電流:小�5μA(典型值)
寫入�(shí)間:無需寫入周期,即�(shí)寫入
�(shù)�(jù)保存�(shí)間:超過10年(在電池支持下�
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式�28-pin SOP
DS1249Y-070+ 具有高可靠�,其 NVSRAM 技�(shù)允許用戶� SRAM 的速度�(jìn)行數(shù)�(jù)操作,同�(shí)通過�(nèi)置鋰電池確保�(shù)�(jù)在斷電時(shí)不會(huì)丟失�
芯片�(nèi)部集成了一�(gè)精準(zhǔn)的電源監(jiān)控電�,可自動(dòng)檢測(cè)主電源狀�(tài)并在必要�(shí)切換到電池供電模��
此外,DS1249Y-070+ 提供了硬件寫保護(hù)功能,防止意外寫入或篡改�(shù)�(jù)�
它還具有較低的功耗設(shè)�(jì),使得在待機(jī)模式下的電流消耗極小,非常適合�(duì)能耗敏感的�(yīng)用場(chǎng)��
該芯片適用于多種需要快速讀寫和非易失性存�(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于:
1. 工業(yè)控制中的�(shù)�(jù)記錄與配置存�(chǔ)
2. �(yī)療儀器的狀�(tài)和校�(zhǔn)信息保存
3. �(jì)量表(如水表、電表)的數(shù)�(jù)采集與存�(chǔ)
4. 通信�(shè)備的�(yùn)行日志記�
5. �(shù)�(jù)記錄儀和黑匣子類設(shè)備中�(guān)鍵數(shù)�(jù)的存�(chǔ)
DS1248Y-070+, DS1249C-070+, CY14B101MN, MR25H256