DS1249AB-100+ 是一款由 Maxim Integrated 生產(chǎn)的非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)� (nvSRAM)。該芯片�(jié)合了高� SRAM 和非易失性鐵電存�(chǔ)� (FRAM),能夠在斷電�(shí)自動(dòng)� SRAM �(shù)�(jù)保存� FRAM �,重新上電后可恢�(fù)�(shù)�(jù)。DS1249AB-100+ 提供了高可靠性和低功耗的解決方案,適用于需要頻繁數(shù)�(jù)記錄和非易失性存�(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)��
該芯片采用標(biāo)�(zhǔn)的同� SRAM 接口,支持字節(jié)和字寬度訪問(wèn),并且無(wú)需額外的控制信�(hào)或軟件操作即可實(shí)�(xiàn)非易失性功能�
存儲(chǔ)容量�512Kb�64K x 8�
接口類型:同� SRAM 接口
工作電壓�3.3V ± 5%
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:超過(guò)10�
�(xiě)入耐久性:�(wú)限次
封裝類型�44 引腳 TQFP
訪問(wèn)�(shí)間:70ns
DS1249AB-100+ 的主要特性包括:
1. 自動(dòng)�(shù)�(jù)保護(hù)功能:在電源故障�(shí),內(nèi)置電路會(huì)自動(dòng)� SRAM �(shù)�(jù)備份到非易失性存�(chǔ)器中�
2. 高速性能:提供與�(biāo)�(zhǔn) SRAM 兼容的訪�(wèn)速度,確保系�(tǒng)性能不受影響�
3. 非易失性:即使在斷電情況下,數(shù)�(jù)也可以長(zhǎng)期保��
4. �(wú)限寫(xiě)入次�(shù):基� FRAM 技�(shù),避免了傳統(tǒng)閃存�?qū)懭氪�?shù)限制而失效的�(wèn)��
5. �(jiǎn)化設(shè)�(jì):無(wú)需外部電池或超�(jí)電容器支持,降低了系�(tǒng)的復(fù)雜性和成本�
6. 可靠性高:經(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試和�(yàn)�,確保在工業(yè)�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
DS1249AB-100+ 廣泛�(yīng)用于需要高可靠性數(shù)�(jù)存儲(chǔ)的領(lǐng)�,包括但不限于以下場(chǎng)景:
1. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的數(shù)�(jù)記錄和配置存�(chǔ)�
2. �(yī)療設(shè)備中的關(guān)鍵參�(shù)備份�
3. �(jì)�?jī)x器中的測(cè)量數(shù)�(jù)保存�
4. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備中的狀�(tài)信息存儲(chǔ)�
5. �(shù)�(jù)采集系統(tǒng)中的�(shí)�(shí)�(shù)�(jù)緩存�
由于其非易失性和高可靠性,該芯片非常適合要求頻繁讀�(xiě)和長(zhǎng)�(shí)間數(shù)�(jù)保存的應(yīng)用場(chǎng)��
DS1249AC-100+, DS1248AB-100+, CY14B101QA, FM25L16B