DS1248Y-120+ � Maxim Integrated 生產(chǎn)的一款非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVSRAM),它結(jié)合了高� SRAM 和非易失性存�(chǔ)功能。該芯片能夠在斷電時(shí)通過電池備份保存�(shù)�(jù),同�(shí)支持快速訪問和可靠的長(zhǎng)期存�(chǔ),廣泛應(yīng)用于需要高可靠性和快速數(shù)�(jù)讀寫的�(chǎng)��
DS1248Y-120+ 的主要特�(diǎn)是其非易失性功能的�(shí)�(xiàn)方式,它通過一�(gè)外部電池供電,在主電源中斷時(shí)自動(dòng)切換到電池模式以保護(hù)�(shù)�(jù)完整��
存儲(chǔ)容量�512K x 8位(524288 字節(jié)�
工作電壓范圍�3.0V � 3.6V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
�(shù)�(jù)保留�(shí)間:10年(使用電池備份�(shí)�
訪問�(shí)間:55ns
封裝類型�48 引腳 TSOP II
功耗:主動(dòng)模式下最� 300mW,待�(jī)模式下最� 20μW
DS1248Y-120+ 提供高密度的非易失性存�(chǔ)解決方案,其�(nèi)部包含一�(gè)集成的電池管理電�,可以無縫地在主電源和電池電源之間切�。這種�(shè)�(jì)確保了即使在突然斷電的情況下也不�(huì)丟失�(shù)�(jù)�
此外,該器件還具備極低的功耗設(shè)�(jì),有助于延長(zhǎng)電池壽命。其快速訪問時(shí)間使其非常適合需要實(shí)�(shí)處理大量�(shù)�(jù)的應(yīng)用場(chǎng)景�
該芯片具有強(qiáng)大的抗干擾能�,并且支持多種寫入保�(hù)�(jī)�,以防止意外的數(shù)�(jù)覆蓋或損�。它的高可靠�、長(zhǎng)�(shù)�(jù)保留周期以及靈活的接口設(shè)�(jì)使得 DS1248Y-120+ 成為工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備和通信系統(tǒng)等領(lǐng)域的理想選擇�
DS1248Y-120+ 還提供了�(biāo)�(zhǔn)的并行接�,方便與微控制器或處理器連接,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)�
DS1248Y-120+ 常用于需要高可靠性數(shù)�(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)�,例如工�(yè)自動(dòng)化中的程序存�(chǔ)和關(guān)鍵數(shù)�(jù)記錄、網(wǎng)�(luò)通信�(shè)備中的配置文件保�、醫(yī)療儀器中的患者數(shù)�(jù)記錄以及金融終端中的交易日志存儲(chǔ)�
由于其非易失性和快速訪問的特點(diǎn),該芯片也適用于電力�(jiān)控系�(tǒng)、數(shù)�(jù)采集模塊以及其他需要頻繁寫入和讀取數(shù)�(jù)的場(chǎng)合。此外,它還可用于汽車電子系�(tǒng)�,用來存�(chǔ)�(dǎo)航地圖數(shù)�(jù)或其他重要信息�
DS1248Y-100+, DS1248Y-120, MAX1248