DS1232L 是一款由 Maxim Integrated 生產(chǎn)的雙極�、非易失性靜�(tài)隨機存取存儲器(NV SRAM)。它結合了高� SRAM 和非易失性存儲技�,能夠在系統(tǒng)斷電時保存數(shù)�(jù)。該器件具有高可靠�、低功耗和快速讀寫速度的特�,廣泛應用于需要頻繁數(shù)�(jù)更新和長期數(shù)�(jù)保存的場景�
DS1232L 的“PSN+T&R”后綴通常表示其封裝類型為 SOIC-8 封裝,并可能包含特定的訂購選項或測試篩選條件�
容量�256位(32 字節(jié)�
工作電壓�1.8V � 5.5V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
�(shù)�(jù)保持時間�10年(典型值)
封裝類型:SOIC-8
訪問時間�70ns 最�
靜態(tài)電流�5μA 最大(備用模式�
接口類型:并行異步訪�
DS1232L 具有以下主要特性:
1. 非易失性存儲:內置鋰電池供�,在主電源斷開時可確保數(shù)�(jù)不丟失�
2. 快速讀寫:支持高速數(shù)�(jù)傳輸,適用于實時�(shù)�(jù)記錄的應用�
3. 簡單接口:采用標準的并行 SRAM 接口,便于與微控制器或其他處理器連接�
4. 超低功耗:在待機模式下消耗極低的電流,適合電池供電設��
5. 高可靠性:�(jīng)過嚴格的篩選測試,確保在惡劣�(huán)境下仍能�(wěn)定運��
6. 寬電壓范圍:支持 1.8V � 5.5V 工作電壓,適應多種電源設計需��
DS1232L 適用于以下領域:
1. �(shù)�(jù)記錄:如�(yī)療設�、工�(yè)控制、環(huán)境監(jiān)測中的短期和長期�(shù)�(jù)采集�
2. 參數(shù)存儲:在需要頻繁修改但又要求掉電保存的場景中使�,例如打印機配置、通信模塊設置�
3. 嵌入式系�(tǒng):作為小型嵌入式設備的輔助存儲器,用于存儲關鍵信息或校準參數(shù)�
4. 實時日志:記錄操作歷史或故障信息,便于后�(xù)分析和維��
5. 消費電子:如便攜式音頻設�、智能家居產(chǎn)品等需要小容量非易失性存儲的應用�
DS1232L-SNI+T&R
DS1232L-PUN+T&R