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SQ2337ES-T1_BE3 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 18:43:46 查看 閱讀�24

SQ2337ES-T1_BE3是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低功��
  該芯片適用于需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場�,其封裝形式為TO-252(DPAK),適合表面貼裝技�(shù)(SMT)。SQ2337ES-T1_BE3在設(shè)計時充分考慮了電氣特性和熱管理需�,使其能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓Vds�60V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  連續(xù)漏極電流Id�28A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�1.9mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
  總柵極電荷Qg�47nC
  輸入電容Ciss�1640pF
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

SQ2337ES-T1_BE3的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高開�(guān)速度,支持高頻操�,非常適合開�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器的應(yīng)��
  3. 具備�(qiáng)大的浪涌電流能力,增�(qiáng)了器件的魯棒��
  4. 封裝采用TO-252(DPAK),散熱性能�(yōu)越且易于安裝�
  5. 寬泛的工作溫度范�(-55℃至+175�),確保在極端條件下仍能正常工��
  6. 通過了多種可靠性測試,保證長期使用的穩(wěn)定��

�(yīng)�

SQ2337ES-T1_BE3廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流管�
  2. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
  4. 汽車電子�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
  5. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控��

替代型號

SQ2337ES-T1-AE3, IRF2337, FDP027N06L

sq2337es-t1_be3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

sq2337es-t1_be3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�241,453�(xiàn)�
  • 價格1 : �5.49000剪切帶(CT�3,000 : �2.10847卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�80 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)2.2A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)290 毫歐 @ 1.2A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)18 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)620 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-23-3(TO-236�
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3