DN1SS355T1G 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用 DPAK 封裝形式,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種�(kāi)�(guān)�(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻和高效率特性使其非常適合于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(chǎng)��
DN1SS355T1G 的設(shè)�(jì)特點(diǎn)是具有較低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,從而減少了功率損�,并提高了整體系�(tǒng)的效�。同�(shí),它還具備快速開(kāi)�(guān)能力和良好的熱性能,能夠滿(mǎn)足嚴(yán)苛的工作�(huán)境需��
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏極電流�24A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.5mΩ
柵極-源極電壓(Vgs(th)):2.1V
總功耗:195W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:DPAK
DN1SS355T1G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(5.5mΩ�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 支持高漏極電流能力,適合大功率應(yīng)��
3. 邏輯電平�(qū)�(dòng)兼容性,使得該器件易于與大多�(shù)微控制器或邏輯電路接��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛�
6. 提供出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
7. 快速開(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)損耗并提高�(dòng)�(tài)性能�
DN1SS355T1G 被廣泛用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整��
2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的高端和低端開(kāi)�(guān)�
3. 電池保護(hù)電路和負(fù)載開(kāi)�(guān)�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
5. 各類(lèi)工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(shè)備中的功率管理模塊�
6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)的電力電子系�(tǒng)�
7. LED �(qū)�(dòng)器中的功率開(kāi)�(guān)元件�
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP150AN
AO3400