時間：2025/5/16 11:49:33
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CBG201209U501T 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的功率電子器件，屬于高效率、高頻應(yīng)用領(lǐng)域的增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管 (eGaN FET)。該器件采用先進(jìn)的封裝工藝，具有出色的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻特性，適用于高頻 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備以及各類電源管理系統(tǒng)。
由于其獨(dú)特的材料優(yōu)勢和設(shè)計結(jié)構(gòu)，CBG201209U501T 在高溫環(huán)境下的性能表現(xiàn)優(yōu)異，并能有效降低系統(tǒng)功耗，提升整體效率。
型號：CBG201209U501T
類型：增強(qiáng)型 GaN 場效應(yīng)晶體管
工作電壓：600V
最大漏極電流：8A
導(dǎo)通電阻：40mΩ
柵極驅(qū)動電壓：5V/10V
反向恢復(fù)電荷：無
結(jié)溫范圍：-55°C 至 +175°C
封裝形式：TO-252
CBG201209U501T 的主要特性包括：
1. 高擊穿電壓能力，能夠支持高達(dá) 600V 的電壓操作。
2. 極低的導(dǎo)通電阻（40mΩ），從而減少傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開關(guān)速度，適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
4. 不含反向恢復(fù)電荷，進(jìn)一步優(yōu)化了開關(guān)效率。
5. 兼容標(biāo)準(zhǔn)硅 MOSFET 的柵極驅(qū)動電壓，簡化了電路設(shè)計。
6. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)，可在極端溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定性能。
7. 小尺寸封裝降低了 PCB 空間占用，同時提升了散熱性能。
CBG201209U501T 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 高效開關(guān)電源 (SMPS)，如服務(wù)器電源、通信電源等。
2. 無線充電模塊，尤其是需要高頻切換的應(yīng)用。
3. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換電路。
4. 汽車電子系統(tǒng)，例如車載充電器和電池管理單元。
5. 各類便攜式設(shè)備的快充適配器。
6. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動與控制電路。
CGH20120E501T, CSD20120U501S
