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DMT3006LFV 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 16:02:05 查看 閱讀�24

DMT3006LFV 是一款基� DMOS 工藝制造的高性能功率 MOSFET 芯片,專為低電壓�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用邏輯電平�(qū)�(dòng)技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適合用于高效率 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電池管理以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)景�
  該芯片封裝形式為 LFPAK56D(Power-SO8 封裝�,支持表面貼裝工�,能夠有效降低熱阻并提高散熱性能。同�(shí),其�(nèi)置的 ESD 保護(hù)功能�(jìn)一步增�(qiáng)了器件在�(shí)際應(yīng)用中的可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻:1.4mΩ
  柵極電荷�28nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:9ns
  工作溫度范圍�-55� � 150�
  封裝形式:LFPAK56D

特�

DMT3006LFV 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))僅� 1.4mΩ,可顯著降低�(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,反向恢�(fù)�(shí)間僅� 9ns,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
  3. �(nèi)置邏輯電平驅(qū)�(dòng)功能,允許使用較低的柵極�(qū)�(dòng)電壓(如 5V 或更低),簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�
  4. 高電流承載能力,連續(xù)漏極電流高達(dá) 12A,滿足大功率�(yīng)用需��
  5. 封裝熱性能�(yōu)越,能夠有效散出熱量,確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行�
  6. 支持寬泛的工作溫度范圍(-55� � 150℃),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�

�(yīng)�

DMT3006LFV 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和降壓�(zhuǎn)��
  2. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和電池保�(hù)�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的電機(jī)控制和電源管��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的直流電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切��
  5. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)�(dòng)和調(diào)光控��
  由于其低�(dǎo)通電阻和高效率特性,DMT3006LFV 在需要高功率密度和高效率的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

DMT3006LFT7, DMT3006LFR7

dmt3006lfv推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • 詢價(jià)