RJU003N03GZT106 是一款由羅姆(ROHM)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于高效能的電源管理�(yīng)��
其封裝形式為 LFPAK56D(Power-SO8�,適合表面貼裝工�,并能夠提供出色的熱性能和電氣性能�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�-3.2A
�(dǎo)通電阻:2.8mΩ
柵極電荷�49nC
總電容:1770pF
工作溫度范圍�-55� � 150�
RJU003N03GZT106 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高效率表現(xiàn)。它采用先�(jìn)的制造工藝,確保了器件在高頻開關(guān)條件下的�(yōu)異性能�
此外,其緊湊的封裝設(shè)計有助于減少 PCB 空間占用,同時具備良好的散熱能力。這款 MOSFET 特別適合需要高電流、低功耗的�(yīng)用場��
其他特性包括:
- 高可靠性與�(wěn)定�
- 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn)
- 支持自動化的表面貼裝技�(shù) (SMT)
- 耐受雪崩和短路的能力較強(qiáng)
該型號廣泛應(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,例如:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器
2. 電機(jī)�(qū)動電�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
4. 工業(yè)自動化控制中的功率轉(zhuǎn)換模�
5. LED 照明�(qū)�
RJU003N03GZT106 憑借其卓越的性能,在上述�(lǐng)域內(nèi)提供了高效的解決方案�
RJU003N03GZT103