DMP2170U是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于需要高效開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場景。該器件采用先進的制造工藝,具備出色的電氣性能和可靠性,適合在消費電子、工業(yè)控制、通信設(shè)備等領(lǐng)域中使用。
該芯片采用了小型化封裝技術(shù),便于PCB板布局優(yōu)化,同時其低導(dǎo)通電阻特性有助于降低功耗,提高系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:14A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.5mΩ
柵極電荷:28nC
開關(guān)速度:快速
工作溫度范圍:-55℃至150℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低功率損耗,適用于高效率設(shè)計。
2. 快速開關(guān)能力,支持高頻應(yīng)用,減少開關(guān)損耗。
3. 高雪崩耐量能力,確保在異常條件下仍能穩(wěn)定工作。
4. 小型化封裝,節(jié)省PCB空間,適應(yīng)緊湊型設(shè)計需求。
5. 寬工作溫度范圍,適用于各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。
6. 高可靠性設(shè)計,保證長時間運行的穩(wěn)定性與安全性。
1. 開關(guān)電源中的同步整流器。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
3. 電機驅(qū)動電路中的功率級元件。
4. 消費類電子產(chǎn)品的負(fù)載開關(guān)。
5. 工業(yè)控制中的功率管理模塊。
6. 電池保護電路中的電子開關(guān)。
IRLZ44N
FDP157N
AO3400