時間：2025/5/21 21:44:41
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FGY40T120SMD是一款N溝道增強型功率MOSFET，采用SMD封裝形式。該器件適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)等應用領(lǐng)域，能夠提供較低的導通電阻和較高的電流承載能力，從而優(yōu)化系統(tǒng)效率并減少熱量產(chǎn)生。
這款MOSFET以其高開關(guān)速度和出色的熱性能著稱，適合要求緊湊設計且需要高效能表現(xiàn)的應用場景。
最大漏源電壓：120V
最大連續(xù)漏極電流：40A
導通電阻（典型值）：3.5mΩ
柵極電荷（典型值）：85nC
總電容（輸入電容）：1050pF
工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
1. 極低的導通電阻，有助于降低導通損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力，可實現(xiàn)更高的工作頻率，減少磁性元件體積。
3. 良好的熱穩(wěn)定性，即使在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定性能。
4. 小型SMD封裝，便于表面貼裝工藝，適合自動化生產(chǎn)。
5. 較寬的工作溫度范圍，適應多種惡劣環(huán)境下的應用需求。
6. 內(nèi)置ESD保護，提高了器件的可靠性和抗干擾能力。
1. 開關(guān)電源中的功率級開關(guān)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)。
3. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動。
4. 各類負載開關(guān)和保護電路。
5. 汽車電子中的逆變器和電池管理系統(tǒng)。
6. 工業(yè)控制設備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
IRFZ44N, FQP47P06, PSMN0R9-120BST
