DMP2104V是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,采用小尺寸DFN3020-8封裝形式。該器件適用于低電壓和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�,具有出色的開關(guān)性能和較小的封裝體積,非常適合便攜式�(shè)備和空間受限的設(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.9A
�(dǎo)通電阻:75mΩ(典型�,Vgs=4.5V�
總功耗:420mW
�(jié)溫范圍:-55℃至150�
DMP2104V采用了先�(jìn)的工藝技�(shù)制�,具備以下特�(diǎn)�
1. 超低�(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高效率�
2. 小型DFN3020-8封裝,節(jié)省PCB空間且便于安��
3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
4. 提供良好的熱�(wěn)定性和電氣性能�
5. 高輸入阻抗,�(jiǎn)化驅(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)�
6. 支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,提升生�(chǎn)自動(dòng)化程��
該器件廣泛應(yīng)用于各種電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. 移動(dòng)�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)控制�
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理模塊�
3. USB充電端口保護(hù)及切��
4. LED背光�(qū)�(dòng)電路�
5. 各種電池供電�(shè)備中的電源轉(zhuǎn)換與控制�
DMP2006U,DMP2008U