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DMP1055UFDB 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 13:06:24 查看 閱讀�22

DMP1055UFDB 是一� N 治道的增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),采用 UltraFET 技�(shù)�(shè)�(jì),封裝形式為 UFQFN4。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
  這款 MOSFET 主要�(yīng)用于消費(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)域,其出色的電氣性能使其成為眾多電路�(shè)�(jì)中的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�6.2A
  �(dǎo)通電阻:35mΩ
  柵極電荷�6nC
  總電容:130pF
  工作溫度范圍�-55°C � 150°C

特�

DMP1055UFDB 的主要特性包括:
  1. 超低�(dǎo)通電阻:在典型的工作條件下,�(dǎo)通電阻僅� 35mΩ,從而顯著降低功耗并提高效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力:得益于較低的柵極電荷和�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu),此 MOSFET 能夠?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)�(guān),減少開(kāi)�(guān)損��
  3. 小尺寸封裝:UFQFN4 封裝提供了緊湊的外形,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�
  4. 高可靠性:支持的工作溫度范圍廣�-55°C � 150°C�,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  5. �(yōu)異的熱性能:良好的散熱�(shè)�(jì)有助于維持器件在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定��

�(yīng)�

DMP1055UFDB 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器中的同步整流元件�
  3. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān)�
  5. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)及保�(hù)電路�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與功率控��

替代型號(hào)

DMP1045UFDB, DMN1055UFDB

dmp1055ufdb推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)