時(shí)間：2025/4/29 16:24:37
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DMN63D1LV是一款來自Diodes Incorporated的N溝道MOSFET晶體管。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，非常適合用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中。其小尺寸封裝DFN1006-2（SOT885）使得它在空間受限的設(shè)計(jì)中非常實(shí)用。
漏源極電壓(Vds)：60V
連續(xù)漏極電流(Id)：3.4A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：170mΩ
柵極電荷(Qg)：6nC
總功耗(Ptot)：930mW
工作溫度范圍(Ta)：-55°C to +150°C
DMN63D1LV的主要特性包括低導(dǎo)通電阻，這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。此外，其快速開關(guān)能力可以降低開關(guān)損耗，適合高頻操作環(huán)境。該器件的小型DFN1006-2封裝不僅節(jié)省了PCB空間，還具備出色的熱性能，可滿足嚴(yán)格的散熱要求。
由于采用了無引線封裝，DMN63D1LV還提供了卓越的電氣性能和可靠性，能夠應(yīng)對嚴(yán)苛的應(yīng)用條件。同時(shí)，它的濕氣敏感度等級達(dá)到MSL1標(biāo)準(zhǔn)，便于存儲(chǔ)和焊接過程中的處理。
這款MOSFET廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、通信設(shè)備以及工業(yè)控制等領(lǐng)域。典型應(yīng)用包括負(fù)載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池保護(hù)電路、電源管理模塊等。在這些場景中，DMN63D1LV憑借其高效能表現(xiàn)和緊湊型設(shè)計(jì)，為工程師提供了理想的解決方案。
DMN63D2LV
DMN63D3LV
