DMN61D9UW-7 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用小型化的 LFPAK33 封裝(也稱為 DFN33�,具有出色的開關性能和較低的導通電�,適合用于消費電�、工�(yè)控制以及通信設備中的高效功率轉換和負載開關應用�
這款 MOSFET 的設計目標是為系�(tǒng)提供更小的占位面�、更高的效率以及更好的熱性能,同時滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對緊湊設計的要��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�4.8A
導通電阻:5.5mΩ
柵極電荷�12nC
總電容:115pF
工作溫度范圍�-55� � 150�
DMN61D9UW-7 的主要特點包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
2. 高速開關能�,適用于高頻 PWM 控制器和 DC-DC 轉換器�
3. 提供良好的雪崩能力和 ESD 保護,確保在惡劣�(huán)境下的可靠��
4. 小巧� LFPAK33 封裝,節(jié)� PCB 空間并改善散熱性能�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. 工作溫度范圍寬廣,支持多種極端條件下的應用需求�
DMN61D9UW-7 主要應用于以下領域:
1. 移動設備中的負載開關和電源管��
2. USB Type-C � PD(Power Delivery)適配器�
3. DC-DC 轉換器與開關模式電源(SMPS)�
4. LED 驅動器及背光控制�
5. 各類電池供電設備中的高效功率管理方案�
6. 工業(yè)自動化和電機驅動中的小型化功率模��
DMN61D9UW-7N, DMN6049LFG-7