6EDL04N02PRXUMA1是一款高性能的MOSFET功率晶體�,屬于恩智浦(NXP)半�(dǎo)體公司的�(chǎn)品系�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特性。它主要�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及各類工�(yè)控制�(lǐng)域,能夠滿足�(duì)效率和可靠性要求較高的�(yīng)用場(chǎng)��
這款MOSFET采用TO-252(DPAK)封裝形式,具有緊湊的�(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用環(huán)�。同�(shí),其引腳布局�(biāo)�(zhǔn)�,便于設(shè)�(jì)與安��
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�4.7A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.6mΩ
總功�(Ptot)�1.3W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C to +150°C
�(jié)溫范�(Tj)�-55°C to +175°C
封裝形式:TO-252(DPAK)
6EDL04N02PRXUMA1采用了超低導(dǎo)通電阻技�(shù),有效減少了傳導(dǎo)損�,提高了系統(tǒng)效率�
該器件支持高頻開�(guān)操作,開�(guān)速度快,有助于降低開�(guān)損耗并提升整體性能�
其熱阻較低,�(jié)合高效的散熱�(shè)�(jì),能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)行�
�(nèi)置靜電防�(hù)(ESD)保護(hù)功能,提升了器件的可靠性和抗干擾能��
此外,該MOSFET符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于各種現(xiàn)代化電子�(chǎn)品設(shè)�(jì)需��
該型�(hào)廣泛�(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、LED�(qū)�(dòng)電路、電池管理系�(tǒng)(BMS)、汽車電子系�(tǒng)、家用電器控制模塊等�(lǐng)域�
在工�(yè)自動(dòng)化中,它可作為電�(jī)�(qū)�(dòng)的核心元件,用于精確控制電機(jī)的速度和方��
還適用于太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)功能�
由于其卓越的電氣特性和�(jī)械結(jié)�(gòu),也常被選用在通信基礎(chǔ)�(shè)施如基站電源單元�(nèi)�
6EDL04N02PRXUMA