DMN6013LFGQ-7是來自Diodes Incorporated的一款N溝道增強型MOSFET晶體�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特點。它廣泛適用于消費電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)域的電源管理電路��
該型號采用了微型的DFN2020-8封裝形式,這種封裝方式有助于減少寄生電感和提高散熱效率,非常適合空間受限的�(shè)計�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�3.9A
導通電阻(Rds(on)):45mΩ(典型�,@Vgs=4.5V�
柵極電荷�7nC(典型值)
總功耗:1.1W
工作�(jié)溫范圍:-55°C�+150°C
封裝類型:DFN2020-8
DMN6013LFGQ-7的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻,可以有效降低傳導損耗并提升整體效率�
2. 快速的開關(guān)特�,支持高頻操�,滿足現(xiàn)代高效能�(zhuǎn)換器的需��
3. 高靜電放電(ESD)防護能力,增強了產(chǎn)品在實際應用中的可靠��
4. 小巧的DFN2020-8封裝�(shè)�,為緊湊型PCB布局提供便利�
5. 寬泛的工作溫度范�,確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運��
DMN6013LFGQ-7適合用于以下應用場景�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流或初級�(cè)開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
3. 負載開關(guān)及電池保護電��
4. 消費類電子產(chǎn)品如智能手機、平板電腦和筆記本電腦的充電管理模塊�
5. 各種便攜式設(shè)備中的功率控制部��
DMN6013UFSG-7, DMN6013LFG-7