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VS-2EFH02HM3/I 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 15:06:03 查看 閱讀�45

VS-2EFH02HM3/I 是一款高性能的功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠在高頻應(yīng)用中提供卓越的性能�
  該型號屬� VISHAY 公司推出的系列功� MOSFET,其�(shè)計優(yōu)化了熱性能和電氣性能,非常適合要求高效率和小尺寸解決方案的場��

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�25A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ
  總閘極電�(Qg)�78nC
  開關(guān)頻率:高�(dá) 1MHz
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

這款功率 MOSFET 的主要特點是低導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高效的開關(guān)性能。具體特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. 較高的電流承載能�,支持大功率輸出�
  4. �(qiáng)大的熱管理能力,能夠有效散熱并保持穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 寬廣的工作溫度范圍,確保在極端條件下也能正常工作�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�

�(yīng)�

VS-2EFH02HM3/I 被廣泛應(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS):用� AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換電路中的主開關(guān)或同步整流元��
  2. 電機(jī)控制:適用于直流無刷電機(jī) (BLDC) 和步�(jìn)電機(jī)�(qū)動中的功率級控制�
  3. 逆變器:為太陽能逆變器和其他類型的逆變器提供高效的功率�(zhuǎn)��
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS):用作充電或放電路徑上的開關(guān)元件�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備:例如伺服�(qū)動器、PLC 控制模塊等需要精確功率控制的場合�

替代型號

VS-2EFH02HM3-I, IRF2807PBF

vs-2efh02hm3/i推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

vs-2efh02hm3/i資料 更多>

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vs-2efh02hm3/i參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�19,255�(xiàn)�
  • 價格1 : �3.26000剪切帶(CT�10,000 : �1.20417卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101, FRED Pt?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)�(biāo)�(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值)200 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)2A
  • 不同 If 時電� - 正向 (Vf)950 mV @ 2 A
  • 速度快速恢�(fù) =< 500ns�> 200mA(Io�
  • 反向恢復(fù)時間 (trr)25 ns
  • 不同 Vr 時電� - 反向泄漏2 μA @ 200 V
  • 不同?Vr、F 時電�-
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼DO-219AB
  • 供應(yīng)商器件封�DO-219AB(SMF�
  • 工作溫度 - �(jié)-65°C ~ 175°C