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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DMN3110S-7

DMN3110S-7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 12:18:28 查看 閱讀�26

DMN3110S-7是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由Diodes公司生產(chǎn)。該器件采用微型DFN2020-8封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種高效能電源管理應(yīng)�。其出色的性能使其成為便攜式電子設(shè)�、消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品及通信�(shè)備的理想選擇�
  DMN3110S-7在設(shè)�(jì)上注重提高功率密度和降低功�,同�(shí)具備�(yōu)良的熱特性和電氣特�。這些特點(diǎn)使得該MOSFET在負(fù)載開(kāi)�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器、同步整流以及電池保�(hù)等應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  連續(xù)漏極電流�2.6A
  �(dǎo)通電阻:45mΩ
  柵極電荷�1.9nC
  總電容:4.3pF
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

1. 低導(dǎo)通電阻:DMN3110S-7具有僅為45毫歐的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高開(kāi)�(guān)速度:憑借僅1.9納庫(kù)侖的低柵極電荷,該器件能�?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)�(guān)操作,從而降低開(kāi)�(guān)損��
  3. 小尺寸封裝:采用DFN2020-8封裝,節(jié)省PCB空間且支持表面貼裝技�(shù),便于自�(dòng)化生�(chǎn)和小型化�(shè)�(jì)�
  4. 寬工作溫度范圍:能夠�-55℃至150℃的工作溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)行,適應(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
  5. 可靠性高:符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),具備出色的抗靜電能力(HBM�2000V�,確保長(zhǎng)期使用的可靠性�

�(yīng)�

1. �(fù)載開(kāi)�(guān):用于便攜式�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān),提供高效的電源管理和保�(hù)功能�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:在降壓或升壓轉(zhuǎn)換器中作為開(kāi)�(guān)元件,提高轉(zhuǎn)換效��
  3. 同步整流:在�(kāi)�(guān)電源中用作同步整流器,降低功耗并提高輸出�(wěn)定��
  4. 電池保護(hù):應(yīng)用于鋰離子電池組�,防止過(guò)充、過(guò)放和短路等問(wèn)��
  5. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于小型直流電�(jī)�(qū)�(dòng)電路,控制電�(jī)啟動(dòng)、停止和�(diào)速�

替代型號(hào)

DMN3020US-7, DMN3110UF-7

dmn3110s-7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

dmn3110s-7參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C73 毫歐 @ 3.1mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8.6nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds305.8pF @ 15V
  • 功率 - 最�740mW
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)DMN3110S-7DITR