FQB65N06是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor)生產(chǎn)。該器件采用TO-252封裝,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、負載開關(guān)等場景。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度,適合高效能的應(yīng)用需求。
這款MOSFET的主要特點是其額定電壓為60V,能夠承受較大的漏極電流,并且在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:13.8A
導(dǎo)通電阻(典型值):0.045Ω
柵極電荷:9nC
輸入電容:530pF
總功耗:37W
工作結(jié)溫范圍:-55℃至150℃
FQB65N06具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點,適用于需要快速開關(guān)和低損耗的電路。它的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在大電流下保持較低的功率損耗。
2. 高速開關(guān)性能,支持高頻應(yīng)用。
3. 小型TO-252封裝設(shè)計,節(jié)省PCB空間。
4. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)可靠運行。
5. 高雪崩耐量,增強器件的魯棒性。
FQB65N06適用于多種電子電路,包括但不限于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
2. 電機驅(qū)動電路中的功率級控制。
3. 負載開關(guān)和電源管理模塊。
4. 各類DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器。
5. 電池保護和充電管理系統(tǒng)。
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制部分。
FQP50N06L, IRLZ44N, FDMC8820