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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DMN3061SQ

DMN3061SQ 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 14:23:15 查看 閱讀�32

DMN3061SQ 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 SO-8 封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于各種電源管理和信�(hào)切換�(yīng)用。其出色的電氣性能使其成為消費(fèi)電子、通信�(shè)備和工業(yè)控制等領(lǐng)域的理想選擇�
  � MOSFET 的設(shè)�(jì)注重提高效率并降低功�,特別適合于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池供電�(shè)備中的應(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�4.2A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�50mΩ
  柵極閾值電壓:2.5V
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝類型:SO-8

特�

DMN3061SQ 具有低導(dǎo)通電阻特性,可顯著降低傳�(dǎo)損�,從而提升系�(tǒng)效率。此�,該器件的快速開(kāi)�(guān)能力使得其在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效減少開(kāi)�(guān)損��
  其堅(jiān)固的�(shè)�(jì)確保了在惡劣�(huán)境下的可靠運(yùn)行,并且由于采用了標(biāo)�(zhǔn) SO-8 封裝,便于安裝與焊接。DMN3061SQ 還具備良好的熱穩(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能�
  此外,它支持低至 2.5V 的柵極驅(qū)�(dòng)電壓,非常適合低壓系�(tǒng)的應(yīng)用需��

�(yīng)�

DMN3061SQ 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
  2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流元件�
  3. �(fù)載開(kāi)�(guān),用于保�(hù)電路免受�(guò)流或短路的影��
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)組件�
  5. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換功能�
  其緊湊的封裝和高效性能使其成為空間受限且對(duì)能效要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景的理想解決方案�

替代型號(hào)

DMN2997UJ, DMN3029LQ, IRLML6402

dmn3061sq推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)