TVM2G180M291R是一款基于硅 carbide(碳化硅)技術的高壓功率MOSFET。該器件適用于高電壓、高頻開關應用,具有出色的效率和可靠�。其主要設計目標是用于工�(yè)、汽車以及可再生能源領域中的逆變�、DC-DC轉換器和電機驅動等應用�
這款MOSFET采用了先進的溝槽式結�,從而顯著降低導通電阻,并提高開關性能。此�,它還具備較低的柵極電荷和輸出電�,有助于進一步提升系�(tǒng)的整體效率�
最大漏源電壓:1800V
連續(xù)漏極電流�4A
導通電阻:160mΩ
柵極電荷�35nC
反向恢復時間:無(由于SiC材料特性)
工作溫度范圍�-55℃至+175�
TVM2G180M291R利用碳化硅材料的獨特�(yōu)�,使其能夠在高電壓環(huán)境下保持卓越的性能表現(xiàn)。具體特性包括:
1. 高擊穿電壓能�,能夠承受高�1800 低導通電�,有效減少導通損耗�
3. 快速開關速度,大幅降低開關損耗�
4. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫條件下依然可以穩(wěn)定運��
5. 更高的功率密�,允許設計更緊湊的電力電子設備�
6. 沒有反向恢復問題,簡化了電路設計并提升了系統(tǒng)可靠��
7. 具備�(yōu)異的短路耐受能力,增強系�(tǒng)安全��
TVM2G180M291R非常適合以下應用場景�
1. 工業(yè)級電源和伺服驅動器中的高頻開關元件�
2. 太陽能逆變器的核心功率轉換模塊�
3. 電動汽車及混合動力汽車內的牽引逆變器和車載充電��
4. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)中的關鍵功率開關組件�
5. 高壓直流輸電(HVDC)系�(tǒng)中的輔助電路部分�
6. 各類大功率DC-DC變換器,如電信基站電源或儲能系統(tǒng)�
TVM2G180M282R
TVM2G180M290R
C2M0180120D
CSD19540KCS