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DMN3026LVT 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 18:28:13 查看 閱讀�28

DMN3026LVT 是一款由 Diodes 公司生產� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用小型化封裝,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于多種高效能功率轉換應用�
  DMN3026LVT 的工作電壓范圍寬�,能夠承受較高的漏源極電�,同時其柵極驅動要求較低,便于與邏輯電路兼容。此外,它還具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,適合在嚴苛�(huán)境下運行�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  持續(xù)漏電流:2.9A
  導通電阻:75mΩ
  柵極電荷�10nC
  開關速度:快�
  封裝類型:SOT-23
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

DMN3026LVT 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 小型 SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間,適合便攜式設備和其他空間受限的應用�
  3. 快速開關性能,支持高頻操作,降低電磁干擾�
  4. 高度可靠的保護機制,防止過流、過熱等異常情況�
  5. 寬工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定��
  6. 與標� CMOS � NMOS 輸出邏輯兼容,簡化設計集��

應用

DMN3026LVT 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流和降壓/升壓轉換��
  2. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�
  3. 固態(tài)繼電器和負載開關�
  4. 電機驅動電路中的功率級元件�
  5. �(shù)�(jù)通信設備中的信號切換�
  6. 消費類電子產品如智能手機、平板電腦及筆記本電腦的電源管理模塊�
  7. LED 驅動器中的電流調節(jié)組件�

替代型號

DMN2998LUT, DMN3027UFQ, BSS138

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