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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DMN2170U-7

DMN2170U-7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 15:48:56 查看 閱讀�31

DMN2170U-7 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用微型封裝,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于便攜式�(shè)備、消�(fèi)類電子產(chǎn)品的�(fù)載開(kāi)�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及同步整流等應(yīng)��
  � MOSFET 的設(shè)�(jì)使其能夠在較低的柵極�(qū)�(dòng)電壓下實(shí)�(xiàn)高效的導(dǎo)通性能,同�(shí)保持了出色的耐用性和�(wěn)定��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大漏極電流:3.9A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�50mΩ
  柵極閾值電壓:1.2V
  總功耗:760mW
  工作溫度范圍�-55� � 150�
  封裝類型:SOT-363

特�

DMN2170U-7 的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和小尺寸封�,這使得它成為空間受限�(shè)�(jì)的理想選�。此外,該器件在低至 1.2V 的柵極驅(qū)�(dòng)電壓下即可正常工�,�(jìn)一步提高了與現(xiàn)代低電壓系統(tǒng)的兼容性�
  由于采用了先�(jìn)的制造工�,DMN2170U-7 提供了卓越的熱穩(wěn)定性和電氣性能,確保在高頻率或高負(fù)載條件下也能維持高效�(yùn)��
  它的快速開(kāi)�(guān)能力有助于減少開(kāi)�(guān)損耗,并且 SOT-363 封裝提供了良好的散熱性能,適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)用場(chǎng)景�

�(yīng)�

DMN2170U-7 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率管理的�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 手機(jī)和平板電腦中的負(fù)載開(kāi)�(guān)
  2. USB 接口保護(hù)及電源管�
  3. 便攜式設(shè)備中的電池充電控�
  4. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流
  5. LED �(qū)�(dòng)電路
  6. 通用低側(cè)�(kāi)�(guān)�(yīng)�
  其緊湊的�(shè)�(jì)和高性能表現(xiàn)使其特別適合于對(duì)尺寸和效率有�(yán)格要求的�(chǎn)品中�

替代型號(hào)

DMN2171U-7
  DMN2990U-7
  NTML017N03L
  FDS6680

dmn2170u-7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

dmn2170u-7參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.3A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫歐 @ 3A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds217pF @ 10V
  • 功率 - 最�600mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱DMN2170UDITR