K4F6E304HB-MGCJ 是一款由三星(Samsung)生�(chǎn)� DDR4 �(nèi)存顆粒芯�。該芯片主要用于�(jì)算機(jī)、服�(wù)器和其他需要高性能�(shù)�(jù)處理的電子設(shè)備中,提供高速的�(shù)�(jù)傳輸能力和大容量的存�(chǔ)支持�
DDR4(Double Data Rate 4)是第四代雙倍數(shù)�(jù)速率同步�(dòng)�(tài)隨機(jī)存取�(nèi)存技�(shù),與前幾代相比具有更高的性能、更低的功耗和更可靠的�(wěn)定性。K4F6E304HB-MGCJ 在制造工藝上采用了先�(jìn)的納米級(jí)制程,以確保芯片在高頻運(yùn)行時(shí)仍能保持較低的功��
�(lèi)型:DRAM
接口:DDR4
容量�8Gb (1Gb=128MB)
位寬:x8
工作電壓�1.2V
�(shù)�(jù)速率�3200Mbps
封裝形式:BGA
引腳�(shù)�78-ball
溫度范圍�-40°C to +95°C
刷新模式:Auto/self refresh
K4F6E304HB-MGCJ 提供了高帶寬和低延遲的數(shù)�(jù)傳輸能力,其主要特性包括:
1. 支持高達(dá) 3200 Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,能夠滿(mǎn)足高性能�(jì)算和圖形處理的需��
2. 工作電壓� 1.2V,比之前� DDR3 �(biāo)�(zhǔn)降低了功�,提高了能效�
3. �(nèi)� ECC(Error Correction Code)功�,可檢測(cè)并糾正單比特�(cuò)誤,從而提高數(shù)�(jù)的完整��
4. 具有自動(dòng)刷新和自刷新功能,可在待�(jī)狀�(tài)下維�?jǐn)?shù)�(jù)的完整性,同時(shí)減少功��
5. BGA 封裝形式使其適合用于空間受限的緊湊型�(shè)�(jì)�
6. 支持多種省電模式,例如深度電源下降(DPD)模式,�(jìn)一步優(yōu)化了功耗表�(xiàn)�
K4F6E304HB-MGCJ 廣泛�(yīng)用于需要高容量、高速度�(nèi)存的�(chǎng)�,具體應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. �(tái)式電腦和筆記本電腦的�(nèi)存條�
2. 企業(yè)�(jí)服務(wù)器和�(shù)�(jù)中心的內(nèi)存模��
3. 高性能�(jì)算系�(tǒng)中的�(nèi)存擴(kuò)��
4. 圖形工作站和游戲�(shè)備中的顯存組��
5. �(wǎng)�(luò)�(shè)備如路由器和交換�(jī)的緩存系�(tǒng)�
6. 嵌入式系�(tǒng)中需要高性能�(nèi)存的部分,例如工�(yè)控制或醫(yī)療成像設(shè)��
K4F6E304HB-MGC0, K4F6E304HB-MGCQ