時間：2025/5/23 7:47:22
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DMN10H220LFDF 是一款來自 Diodes Incorporated 的 N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型 MOSFET。該器件采用 LFPAK33 封裝（也稱為 DFN3x3-8），具有出色的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，適用于高效率的電源管理應(yīng)用。
這款 MOSFET 專為需要高效能和小尺寸的應(yīng)用設(shè)計(jì)，其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能使其非常適合用于負(fù)載開關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動以及便攜式設(shè)備中的電源管理等場景。
型號：DMN10H220LFDF
封裝：LFPAK33 (DFN3x3-8)
Vds（漏源電壓）：20V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻，典型值）：1.2mΩ @ Vgs=10V
Id（連續(xù)漏極電流）：105A
Vgs（柵源電壓）：±20V
Qg（總柵極電荷）：17nC
EAS（雪崩能量）：450mJ
fT（特征頻率）：2.3MHz
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
DMN10H220LFDF 具有以下關(guān)鍵特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，可顯著降低導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高電流處理能力（高達(dá) 105A 連續(xù)漏極電流），適合大功率應(yīng)用。
3. 快速開關(guān)速度和低柵極電荷 Qg，減少開關(guān)損耗。
4. 小尺寸 LFPAK33 封裝，有助于節(jié)省 PCB 空間。
5. 支持寬范圍的工作溫度（-55°C 至 +175°C），確保在極端環(huán)境下的可靠性。
6. 邏輯電平驅(qū)動兼容性，允許直接與常見的邏輯電路配合使用，無需額外的驅(qū)動級。
7. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件的魯棒性以應(yīng)對異常情況。
8. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且支持無鉛焊接工藝。
DMN10H220LFDF 廣泛應(yīng)用于各種需要高性能和高效率的領(lǐng)域，包括：
1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)。
2. 負(fù)載開關(guān)，用于動態(tài)控制不同負(fù)載的供電狀態(tài)。
3. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)開關(guān)。
4. 電機(jī)驅(qū)動電路中的功率級開關(guān)。
5. 開關(guān)電源（SMPS）和 LED 驅(qū)動器。
6. 便攜式電子設(shè)備中的高效電源管理模塊。
7. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和控制部分。
8. 通信設(shè)備中的功率分配和調(diào)節(jié)組件。
DMN10H220LSE, DMN10H220LUE
