LG1211-B0是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低功��
LG1211-B0通過�(yōu)化柵極電荷和閾值電壓設(shè)�,在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同時其封裝形式支持高散熱性能,適用于對可靠性要求較高的工業(yè)及消費類電子�(chǎn)品�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:4mΩ
柵極電荷�55nC
總電容:220pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�,減少功率損耗�
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用�
3. 高電流承載能�,滿足大功率需��
4. 良好的熱�(wěn)定�,確保在極端�(huán)境下的可靠性�
5. 小型化封�,便于PCB布局和安��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工藝�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)��
2. 直流電機�(qū)動器中的功率級元件�
3. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載控制開�(guān)�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊�
5. LED�(qū)動器和照明系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部分�
IRFZ44N, FDP5800