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DMN1019UFDE 發(fā)布時間 時間:2025/5/28 18:31:40 查看 閱讀:5

DMN1019UFDE 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用小型化的 DFN3030-8 封裝,適用于空間受限的應(yīng)用場景。它具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和快速開關(guān)性能,非常適合用于高效能的電源管理電路、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動以及便攜式電子設(shè)備等應(yīng)用。
  該器件在設(shè)計上注重優(yōu)化功耗與散熱性能,能夠在高頻率開關(guān)條件下提供穩(wěn)定的運(yùn)行表現(xiàn)。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:3.6A
  導(dǎo)通電阻:25mΩ(典型值,Vgs=4.5V)
  柵極電荷:8nC(典型值)
  總電容:700pF(輸入電容,典型值)
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
  封裝形式:DFN3030-8

特性

DMN1019UFDE 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升整體效率。
  2. 快速開關(guān)性能,支持高頻操作,減少開關(guān)損耗。
  3. 小尺寸 DFN3030-8 封裝,節(jié)省 PCB 空間,特別適合緊湊型設(shè)計。
  4. 高浪涌能力,確保在瞬態(tài)條件下的可靠運(yùn)行。
  5. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,即使在較高溫度環(huán)境下也能保持穩(wěn)定性能。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求。

應(yīng)用

DMN1019UFDE 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級開關(guān)。
  3. 各種負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,如 USB 端口保護(hù)。
  4. 電池供電設(shè)備中的電源管理。
  5. 電機(jī)驅(qū)動及小型化控制電路。
  6. 便攜式消費(fèi)類電子產(chǎn)品,例如智能手機(jī)和平板電腦的電源管理模塊。

替代型號

DMN1019UJE, DMN1019UFCE

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