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IXFR80N50P 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/6 14:16:49 查看 閱讀�367

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:PolarHV?

  

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:PolarHV?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�72 毫歐 @ 40A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�500V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�45A

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�5V @ 8mA

    閘電�(Qg) @ Vgs�197nC @ 10V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �12700pF @ 25V

    功率 - 最大:360W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:ISOPLUS247?

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*



資料

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IXYS

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ixfr80n50p參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PolarHV™ HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C45A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C72 毫歐 @ 40A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs197nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds12700pF @ 25V
  • 功率 - 最�360W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼ISOPLUS247?
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�ISOPLUS247?
  • 包裝管件