DMHC6070LSD 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)器件,廣泛應用于開關電源、電機驅動、負載開關等領域。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電阻和快速開關特�,有助于提高效率并減少功��
該芯片主要以 N 溝道增強� MOSFET 的形式存�,能夠承受較高的電壓和電�,適用于需要高效能和高可靠性的應用場合�
型號:DMHC6070LSD
類型:N 溝道增強� MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�70A
導通電�(Rds(on))�4mΩ
總功�(Ptot)�15W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
DMHC6070LSD 具備以下顯著特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),僅� 4mΩ,有助于降低導通損�,提升整體效率�
2. 快速開關能�,支持高頻應用,減少開關損��
3. 高電流處理能�,最大漏極電流可� 70A,適合大功率應用場景�
4. 耐用性強,能夠在 -55°C � +175°C 的寬溫范圍內�(wěn)定工��
5. 提供�(yōu)異的熱性能,確保長時間運行時的可靠��
6. 小型化封裝設�,節(jié)省電路板空間,便于布局和集成�
7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛設計�
DMHC6070LSD 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器中的功率開��
2. 電機驅動和控制電路中的功率級元件�
3. 工業(yè)自動化設備中的負載開關和保護電路�
4. 電動汽車和混合動力汽車的動力系統(tǒng)及電池管��
5. 高效照明系統(tǒng)的驅動電��
6. 各種消費類電子產品的電源管理和功率轉換模��
DMHC6065LSD, IRF640, STP75NF06