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SN74ACT16374-EP 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 15:52:31 查看 閱讀�20

SN74ACT16374-EP 是一種高性能� 32 位透明鎖存器和三態(tài)緩沖器,采用先�(jìn)的硅� CMOS 技�(shù)制�。該器件具有低功�、高速度和高噪聲容限的特點,適用于各種數(shù)字電路應(yīng)�。它特別�(shè)計用于需要增�(qiáng)抗輻射能力的�(yīng)用場景,例如航天、衛(wèi)星通信以及工業(yè)控制等環(huán)�。該芯片具有極高的可靠�,并能在極端溫度范圍�(nèi)�(wěn)定工��
  該器件由四個獨立的 8 位鎖存器/三態(tài)緩沖器組成,每個部分都可單獨啟用或禁用。其輸入輸出�(jié)�(gòu)允許直接� TTL � CMOS 邏輯兼容�

參數(shù)

電源電壓�1.65V � 3.6V
  傳播延遲時間�5ns(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C � +125°C
  封裝類型:TQFP (48 引腳)
  輸入電流:�20mA
  輸出電流:�24mA
  靜態(tài)功耗:5μW(最大�,典型條件下�

特�

SN74ACT16374-EP 的主要特性包括:
  1. 高速性能:由于采用了 ACT(Advanced CMOS Technology)工�,該芯片可以實現(xiàn)極短的傳播延遲時間,適合高頻�(yīng)��
  2. 增強(qiáng)型抗輻射能力:此版本后綴� '-EP',表示經(jīng)過了專門的抗輻射加固處理,能夠有效抵抗單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)和其他空間輻射影��
  3. 寬工作電壓范圍:支持 1.65V � 3.6V 的寬電源電壓范圍,使其兼容多種系�(tǒng)供電需求�
  4. 極低功耗:即使在高頻運行下,芯片仍然保持較低的動態(tài)功�,非常適合對功耗敏感的�(shè)計�
  5. 高溫�(wěn)定性:能夠� -55°C � +125°C 的工�(yè)級溫度范圍內(nèi)可靠運行�
  6. 兼容性:與標(biāo)�(zhǔn) CMOS � TTL 輸入輸出電平完全兼容,簡化了系統(tǒng)集成過程�
  7. 獨立控制功能:每� 8 位模塊都可以通過獨立的使能引腳�(jìn)行控�,提供靈活的操作模式�

�(yīng)�

SN74ACT16374-EP 芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 航空航天電子�(shè)備:如衛(wèi)星通信系統(tǒng)、飛行控制系�(tǒng)��
  2. 工業(yè)自動化:用于惡劣�(huán)境下工作的工�(yè)控制�、數(shù)�(jù)采集系統(tǒng)�
  3. �(yī)療設(shè)備:需要高度可靠性和低功耗特性的�(yī)療成像或�(jiān)測設(shè)��
  4. 軍事通信:包括無線電收發(fā)器、加密設(shè)備等�
  5. �(shù)�(jù)存儲系統(tǒng):作為接口緩沖器或寄存器,用于管理數(shù)�(jù)��
  6. 測試測量儀器:例如示波�、信號發(fā)生器等精密測試設(shè)��

替代型號

SN74ACT16374PWR
  SN74ACT16374
  SN74ACT16374DGKR

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