DMG1024UV是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬于Diodes Incorporated公司的DMG系列。該器件采用DFN3030-8封裝形式,具有超低導(dǎo)通電阻和極小的封裝尺�,非常適合用于空間受限的�(yīng)用場(chǎng)景。DMG1024UV主要�(yīng)用于便攜式設(shè)�、開�(guān)電源、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池保護(hù)等電路中�
這款MOSFET以其出色的電氣性能著稱,包括較低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�、快速開�(guān)速度以及高效率的能量�(zhuǎn)換能�,這些特點(diǎn)使其成為高效能設(shè)�(jì)的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�2.6A
�(dǎo)通電阻:7mΩ(典型�,在Vgs=4.5V�(shí)�
總柵極電荷:3.5nC
輸入電容�150pF
工作溫度范圍�-55°C�+150°C
封裝形式:DFN3030-8
DMG1024UV具有以下顯著特性:
1. 超低�(dǎo)通電阻(Rds(on)),在額定條件下可降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 小型化封�,適合緊湊型�(shè)�(jì),尤其適用于�(duì)空間要求較高的便攜式電子�(chǎn)��
3. 快速開�(guān)性能,能夠有效減少開�(guān)損�,并支持高頻操作�
4. 較高的漏源電壓耐受能力,確保其能夠在多種不同的�(yīng)用場(chǎng)景下可靠�(yùn)行�
5. 寬廣的工作溫度范�,使其可以在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定性能�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)性需��
DMG1024UV廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
2. 各類便攜式設(shè)備如智能手機(jī)、平板電腦及筆記本電腦的�(fù)載開�(guān)�
3. 電池保護(hù)電路,用于防止過(guò)充或�(guò)放情況發(fā)��
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,為小型直流電機(jī)提供高效的控制和�(qū)�(dòng)功能�
5. 照明�(yīng)用中的LED�(qū)�(dòng)電路,幫助實(shí)�(xiàn)精確電流�(diào)節(jié)以優(yōu)化光輸出效果�
6. 其他需要高性能、小體積MOSFET的電子電路設(shè)�(jì)�
DMG1024UFH, DMG1024UFG