DLW21HN181SQ2L 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道邏輯增強� MOSFET。該器件采用超小� SOT-753 封裝,適用于空間受限的設(shè)�。由于其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于消費電子、通信�(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)��
該芯片具有極低的�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和極小的封裝尺寸,同時具備高雪崩擊穿能力和良好的熱穩(wěn)定性,使其成為高性能功率管理�(yīng)用的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏電流:1.4A
�(dǎo)通電阻:180mΩ
總柵極電荷:4nC
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝類型:SOT-753
DLW21HN181SQ2L 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻電路設(shè)��
3. 超小� SOT-753 封裝,節(jié)� PCB 空間�
4. 強大的雪崩擊穿能力,提高了系�(tǒng)的可靠��
5. 寬工作溫度范� (-55� � +150�),適�(yīng)多種惡劣�(huán)��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
DLW21HN181SQ2L 可廣泛用于以下應(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流�
2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電池保護電路�
4. 消費類電子產(chǎn)品的負載開關(guān)�
5. 工業(yè)自動化控制中的信號切��
6. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
7. 各種便攜式設(shè)備中的功率管理模��
DMN21HN181SFG,
NTMFS4829N,
FDS6680,
AO3400