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FDMS4D0N12C 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 12:53:00 查看 閱讀�23

FDMS4D0N12C是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,屬于Fairchild(現(xiàn)為Onsemi安森美旗下品牌)的DMOS系列。該芯片主要用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用中,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  該器件采用TO-252封裝形式,具備出色的熱性能和電氣性能,適用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和汽車電子等多種�(lǐng)��

參數(shù)

型號(hào):FDMS4D0N12C
  類型:N-Channel MOSFET
  額定電壓(Vds):12V
  額定電流(Id):86A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.3mΩ(典型值,@Vgs=10V�
  柵極電荷(Qg):11nC(典型值)
  輸入電容(Ciss):2290pF(典型值)
  最大功耗:75W
  工作溫度范圍�-55°C�175°C
  封裝形式:TO-252

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗,從而提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能力(86A�,使其適合于大功率應(yīng)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,可減少�(kāi)�(guān)損�,特別適用于高頻�(kāi)�(guān)電路�
  4. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì),滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)�(huán)保的要求�
  6. 小型封裝�(shè)�(jì)(TO-252),節(jié)省PCB空間,簡(jiǎn)化布局�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心開(kāi)�(guān)元件�
  3. 電池管理系統(tǒng)的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  5. 汽車電子中的�(fù)載切��
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的保護(hù)和控制電��

替代型號(hào)

IRLR7846PBF, FDN307P, BSC012N06LSG

fdms4d0n12c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdms4d0n12c參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �41.58000剪切帶(CT�3,000 : �20.86550卷帶(TR�
  • 系列PowerTrench?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�120 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)18.5A(Ta��114A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)4 毫歐 @ 67A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 370A
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)82 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)6460 pF @ 60 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.7W(Ta��106W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-PQFN�5x6�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN