FDMS4D0N12C是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,屬于Fairchild(現(xiàn)為Onsemi安森美旗下品牌)的DMOS系列。該芯片主要用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用中,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
該器件采用TO-252封裝形式,具備出色的熱性能和電氣性能,適用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和汽車電子等多種�(lǐng)��
型號(hào):FDMS4D0N12C
類型:N-Channel MOSFET
額定電壓(Vds):12V
額定電流(Id):86A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.3mΩ(典型值,@Vgs=10V�
柵極電荷(Qg):11nC(典型值)
輸入電容(Ciss):2290pF(典型值)
最大功耗:75W
工作溫度范圍�-55°C�175°C
封裝形式:TO-252
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗,從而提高整體系�(tǒng)效率�
2. 高電流處理能力(86A�,使其適合于大功率應(yīng)��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,可減少�(kāi)�(guān)損�,特別適用于高頻�(kāi)�(guān)電路�
4. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì),滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)�(huán)保的要求�
6. 小型封裝�(shè)�(jì)(TO-252),節(jié)省PCB空間,簡(jiǎn)化布局�(shè)�(jì)�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心開(kāi)�(guān)元件�
3. 電池管理系統(tǒng)的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
5. 汽車電子中的�(fù)載切��
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的保護(hù)和控制電��
IRLR7846PBF, FDN307P, BSC012N06LSG