DHCE2652 SR278是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換器、電機驅動等領域。該器件采用了先進的半導體制造工藝,具有低導通電阻和快速開關速度的特點,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
該型號結合了優(yōu)異的熱性能和可靠的電氣特性,適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電子電路設計。
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(VDS):60V
最大柵源電壓(VGS):±20V
持續(xù)漏極電流(ID):32A
導通電阻(RDS(on)):4.5mΩ
總閘極電荷(Qg):49nC
輸入電容(Ciss):1840pF
輸出電容(Coss):38pF
反向傳輸電容(Crss):38pF
工作溫度范圍:-55°C to 175°C
DHCE2652 SR278具備以下主要特性:
1. 極低的導通電阻(RDS(on)),有助于減少傳導損耗,提升整體效率。
2. 快速開關速度和低柵極電荷,支持高頻操作同時降低開關損耗。
3. 高雪崩能力和高耐用性,確保在惡劣條件下可靠運行。
4. 緊湊的封裝形式,節(jié)省PCB空間并簡化布局設計。
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求。
這些特性使得該芯片成為眾多高功率密度應用的理想選擇。
DHCE2652 SR278適用于多種電力電子場景,包括但不限于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管。
2. DC-DC轉換器中作為功率開關或同步整流元件。
3. 電機驅動中的半橋或全橋配置。
4. 工業(yè)設備中的負載切換與保護。
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率轉換模塊。
其高效率和可靠性使其非常適合于對性能要求嚴格的現(xiàn)代電子產品。
DHCE2649 SR275, IRFZ44N, FDP5500