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IRF6691TR1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 18:51:53 查看 閱讀�20

IRF6691TR1是一款由Vishay公司生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TrenchFET Gen IV技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式為TO-252 (DPAK),適合表面貼裝工��
  IRF6691TR1的主要特�(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電阻Rds(on)(在典型條件下約�4.5mΩ�,這使其在降低傳導(dǎo)損耗方面表�(xiàn)�(yōu)�。此�,該器件還具有較低的柵極電荷Qg,有助于提高開關(guān)效率�

參數(shù)

型號(hào):IRF6691TR1
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  VDS(漏源極電壓):60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
  ID(連續(xù)漏電流)�107A
  Qg(柵極電荷)�28nC
  VGS(柵源極電壓):±20V
  fT(截止頻率)�3.1MHz
  封裝:TO-252 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55°C�+175°C

特�

IRF6691TR1采用了先�(jìn)的TrenchFET Gen IV技�(shù),提供以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),能夠在大電流應(yīng)用中有效降低功耗�
  2. 較低的柵極電荷Qg,有助于�(shí)�(xiàn)快速開�(guān)性能,減少開�(guān)損耗�
  3. 高額定電流能力(ID=107A�,支持高功率密度�(shè)�(jì)�
  4. 寬工作溫度范圍(-55°C�+175°C�,確保在極端�(huán)境下的可靠��
  5. 表面貼裝封裝形式(TO-252),簡化了自�(dòng)化生�(chǎn)和組裝流��
  這些特性使IRF6691TR1非常適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及電源管理等應(yīng)用領(lǐng)��

�(yīng)�

IRF6691TR1廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和處理大電流的場景,主要應(yīng)用包括:
  1. 服務(wù)器和通信�(shè)備中的電源模��
  2. 工業(yè)控制系統(tǒng)的功率級(jí)�(yīng)用�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切��
  4. 筆記本電腦適配器和其他消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的DC-DC�(zhuǎn)��
  5. 各種類型的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  由于其出色的性能和可靠�,IRF6691TR1成為眾多工程師在�(shè)�(jì)高性能功率�(zhuǎn)換解決方案時(shí)的首選�

替代型號(hào)

IRF6691PbF, IRF6691TR

irf6691tr1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf6691tr1參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C32A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.8 毫歐 @ 15A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs71nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6580pF @ 10V
  • 功率 - 最�2.8W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼DirectFET? 等容 MT
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�DIRECTFET? MT
  • 包裝帶卷 (TR)