IRF6691TR1是一款由Vishay公司生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TrenchFET Gen IV技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式為TO-252 (DPAK),適合表面貼裝工��
IRF6691TR1的主要特�(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電阻Rds(on)(在典型條件下約�4.5mΩ�,這使其在降低傳導(dǎo)損耗方面表�(xiàn)�(yōu)�。此�,該器件還具有較低的柵極電荷Qg,有助于提高開關(guān)效率�
型號(hào):IRF6691TR1
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
VDS(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
ID(連續(xù)漏電流)�107A
Qg(柵極電荷)�28nC
VGS(柵源極電壓):±20V
fT(截止頻率)�3.1MHz
封裝:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍�-55°C�+175°C
IRF6691TR1采用了先�(jìn)的TrenchFET Gen IV技�(shù),提供以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),能夠在大電流應(yīng)用中有效降低功耗�
2. 較低的柵極電荷Qg,有助于�(shí)�(xiàn)快速開�(guān)性能,減少開�(guān)損耗�
3. 高額定電流能力(ID=107A�,支持高功率密度�(shè)�(jì)�
4. 寬工作溫度范圍(-55°C�+175°C�,確保在極端�(huán)境下的可靠��
5. 表面貼裝封裝形式(TO-252),簡化了自�(dòng)化生�(chǎn)和組裝流��
這些特性使IRF6691TR1非常適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及電源管理等應(yīng)用領(lǐng)��
IRF6691TR1廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和處理大電流的場景,主要應(yīng)用包括:
1. 服務(wù)器和通信�(shè)備中的電源模��
2. 工業(yè)控制系統(tǒng)的功率級(jí)�(yīng)用�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切��
4. 筆記本電腦適配器和其他消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的DC-DC�(zhuǎn)��
5. 各種類型的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
由于其出色的性能和可靠�,IRF6691TR1成為眾多工程師在�(shè)�(jì)高性能功率�(zhuǎn)換解決方案時(shí)的首選�
IRF6691PbF, IRF6691TR