CSD68832L是德州儀器(TI)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率級器件,專為高�、高效率的應(yīng)用場景設(shè)�(jì)。該�(chǎn)品結(jié)合了GaN FET和驅(qū)動器,優(yōu)化了開關(guān)性能和系�(tǒng)集成度,適合用于�(shù)�(jù)中心電源、工�(yè)電源以及電信電源等高功率密度場合�
這款芯片采用了先�(jìn)的半橋配�,內(nèi)部集成了兩個GaN FET,分別作為高�(cè)和低�(cè)開關(guān),并通過自舉電路�(shí)�(xiàn)高側(cè)�(qū)動。由于其超低的導(dǎo)通電阻和極快的開�(guān)速度,CSD68832L能夠顯著降低開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損�,從而提升整體系�(tǒng)的能��
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):7.5mΩ@25°C
工作電壓范圍�0V~60V
最大電流:40A
開關(guān)頻率:高�(dá)1MHz
柵極�(qū)動電壓:5.0V/0V
封裝形式:QFN-10�6mm x 8mm�
工作溫度范圍�-55°C ~ +150°C
CSD68832L具備以下顯著特性:
1. 高效的GaN技�(shù):相比傳�(tǒng)硅基MOSFET,CSD68832L具有更低的導(dǎo)通電阻和更少的寄生電�,可�(shí)�(xiàn)更高的效��
2. 快速開�(guān)能力:支持高�(dá)1MHz的開�(guān)頻率,滿足高頻應(yīng)用需�,同時減小磁性元件體積,提升功率密度�
3. �(nèi)置驅(qū)動器:集成的�(qū)動器減少了外部元件數(shù)量,簡化了PCB布局并降低了�(shè)�(jì)�(fù)雜度�
4. �(qiáng)大的散熱性能:得益于�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),CSD68832L在高�(fù)載條件下仍能保持較低的工作溫��
5. 自保�(hù)功能:內(nèi)置過流保�(hù)、短路保�(hù)和過溫保�(hù),確保系�(tǒng)�(yùn)行更加可��
CSD68832L適用于多種高功率密度的應(yīng)用領(lǐng)域:
1. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源:
- 提供高效的DC/DC�(zhuǎn)換解決方案�
2. 工業(yè)�(shè)備:
- 包括焊接�(jī)、UPS不間斷電源等高功率應(yīng)用場景�
3. 通信基礎(chǔ)�(shè)施:
- 如基站電�、光�(wǎng)�(luò)單元(ONU)電源等�
4. 消費(fèi)電子�
- 例如快速充電適配器中的同步整流或功率因�(shù)校正(PFC)電��
5. 新能源汽車:
- 車載充電器(OBC�、DC/DC�(zhuǎn)換器等組件的理想選擇�
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