CSD25404Q3是來自TI(德州儀器)的一款N通道增強(qiáng)型硅 carbide (SiC) MOSFET。它采用先�(jìn)的SiC技�(shù),具備出色的開關(guān)特性和耐壓能力,適用于高效率和高功率密度的�(yīng)用場��
該器件在高溫、高頻和高壓�(huán)境下表現(xiàn)出色,適合用于工�(yè)電源、太陽能逆變器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的系統(tǒng)��
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�4A
柵極閾值電壓:2.8V~5.5V
�(dǎo)通電阻:160mΩ(典型�,在25°C下)
工作溫度范圍�-55°C~175°C
CSD25404Q3利用碳化硅材料的�(dú)特性能,提供低�(dǎo)通損耗和開關(guān)損�,同�(shí)支持更高的開�(guān)頻率。其具備以下主要特點(diǎn)�
1. 高效率:得益于低�(dǎo)通電阻和低開�(guān)損�,能夠顯著減少能量損��
2. 耐高溫:能夠在高�(dá)175°C的工作溫度下�(wěn)定運(yùn)行�
3. 快速開�(guān)能力:減少死區(qū)�(shí)間和開關(guān)損�,提高整體效率�
4. �(qiáng)大的浪涌電流能力:確保在異常條件下也能可靠工��
5. 緊湊封裝:TO-247封裝有助于簡化設(shè)�(jì)并節(jié)省空間�
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于高效率電力電子系�(tǒng)�,包括但不限于:
1. 工業(yè)電源供應(yīng)�
2. 太陽能微型逆變�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器
4. 電動(dòng)車車載充電器
5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
6. UPS不間斷電�
CSD25404Q3特別適合那些對效率和可靠性要求較高的�(yīng)用場��
CSD19531KCS, CSD25406Q5