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CSD23381F4 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 21:06:19 查看 閱讀�24

CSD23381F4 是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)� 60V、低電荷 N 通道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的工藝技�(shù)制�,適用于需要高效率和高性能的應(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式為小尺寸� SON-8(DQFN�,有助于節(jié)� PCB 空間,同�(shí)提供卓越的熱性能�
  � MOSFET 主要用于電源管理�(lǐng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、多相控制器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用中�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�7.5A
  RDS(on)(典型�,Vgs=10V):8mΩ
  柵極電荷(Qg,典型值)�13nC
  輸入電容(Ciss,典型值)�190pF
  總電荷(Qoss,典型值)�33nC
  �(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝形式:SON-8 (DQFN)
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

CSD23381F4 具有低導(dǎo)通電� RDS(on),從而降低了�(dǎo)通損�,提升了系統(tǒng)效率�
  其低柵極電荷和輸出電荷特性使得開(kāi)�(guān)損耗顯著減�,適合高頻操作�
  器件采用� TI � NexFET 技�(shù),具有更高的功率密度和更�(yōu)的熱性能�
  封裝體積小巧,便于在緊湊型設(shè)�(jì)中使��
  具有良好的雪崩能力和�(wěn)健的 ESD 性能,確??煽窟\(yùn)��
  支持寬范圍的工作溫度,滿(mǎn)足嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需��

�(yīng)�

CSD23381F4 廣泛�(yīng)用于多種電源管理�(lǐng)�,包括但不限于:
  同步降壓�(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或同步整流管�
  �(fù)載開(kāi)�(guān)� FET �(kāi)�(guān)�
  多相控制器中的功率級(jí) MOSFET�
  電機(jī)�(qū)�(dòng)和電池保�(hù)電路�
  便攜式電子設(shè)備中的高效電源管理方案�
  工業(yè)自動(dòng)化及通信基礎(chǔ)�(shè)施中的功率轉(zhuǎn)換模��

替代型號(hào)

CSD18506Q5A
  CSD18508Q5A
  CSD18510Q5A

csd23381f4推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

csd23381f4資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

csd23381f4參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�258,004�(xiàn)�9,000Factory
  • �(jià)�1 : �3.42000剪切帶(CT�3,000 : �0.63599卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET �(lèi)�P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�12 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)2.3A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�1.8V�4.5V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)175 毫歐 @ 500mA�4.5V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)1.14 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)-8V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)236 pF @ 6 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�3-PICOSTAR
  • 封裝/外殼3-XFDFN