B34B-PNDZS-1是一種高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高效率開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等場(chǎng)�。該芯片具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)性能�
這款芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,在耐熱性和可靠性方面表�(xiàn)出色,適用于要求苛刻的工作環(huán)境�
類型:N溝道 MOSFET
額定電壓�600V
額定電流�25A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
柵極電荷�25nC
最大工作溫度范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-247
B34B-PNDZS-1的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有效減少能量損耗�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. 具備良好的雪崩擊穿能力和抗浪涌能力,適合�(fù)雜電氣環(huán)��
4. 耐高溫性能�(yōu)�,能夠在極端條件下穩(wěn)定運(yùn)��
5. 封裝�(jiān)固耐用,易于散熱且安裝方便�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保無鉛化處理�
該芯片廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)�,例如開�(guān)電源(SMPS)、直�-直流�(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)、不間斷電源(UPS)、逆變�(Inverter)以及各種工業(yè)�(shè)備中的功率管理模�。此外,它還適用于電�(dòng)車控制器、太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
B34B-PNDZS-2
B34B-QNDZS-1
C35D-RMDZT-1