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CSD18510Q5B 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 20:47:25 查看 閱讀�19

CSD18510Q5B 是一款由德州儀� (TI) 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型硅氮化� (GaN) �(chǎng)效應(yīng)晶體� (FET),采� 6 引腳 SOT-23 封裝。該器件�(jié)合了 GaN 的高性能特性和�(jiǎn)單易用的�(qū)�(dòng)要求,專(zhuān)為高頻和高效率應(yīng)用而設(shè)�(jì)。其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性使其非常適合于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn) (POL) �(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及其他功率�(zhuǎn)換應(yīng)用場(chǎng)��
  CSD18510Q5B 的工作電壓范圍為 20V � 100V,并且具有非常低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高頻率下�(shí)�(xiàn)高效的功率傳輸。同�(shí),它還具備良好的熱性能以及出色的可靠性和耐用性�

參數(shù)

最大額定電壓:100V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):7mΩ
  連續(xù)漏極電流(Id):10A
  柵極電荷(Qg):4.5nC
  反向恢復(fù)電荷(Qrr):�(wú)(零反向恢復(fù)�
  封裝�(lèi)型:SOT-23
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

CSD18510Q5B 具有以下主要特性:
  1. 高效�(kāi)�(guān)性能:由于其低導(dǎo)通電阻和極低的柵極電�,能夠顯著減少傳�(dǎo)損耗和�(kāi)�(guān)損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度:支� MHz �(jí)別的�(kāi)�(guān)頻率,適合高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)��
  3. 零反向恢�(fù):消除了傳統(tǒng) Si 器件中的反向恢復(fù)損耗,�(jìn)一步提高了系統(tǒng)效率�
  4. 熱性能�(yōu)異:�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)確保在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定運(yùn)行�
  5. 易于�(qū)�(dòng):兼容標(biāo)�(zhǔn)邏輯電平信號(hào),簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)流程�
  6. 可靠性強(qiáng):通過(guò)�(yán)格的�(cè)試驗(yàn)�,滿足工�(yè)�(jí)可靠性要求�

�(yīng)�

CSD18510Q5B 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. DC-DC �(zhuǎn)換器:包括降�、升壓及升降壓拓?fù)浣Y(jié)�(gòu),適用于服務(wù)�、通信�(shè)備等電源管理系統(tǒng)�
  2. �(fù)載點(diǎn) (POL) �(zhuǎn)換:� FPGA、微處理器及其他�(shù)� IC 提供高效�(wěn)定的供電方案�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于無(wú)刷直流電�(jī) (BLDC) 和步�(jìn)電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�,提高效率并降低�(fā)熱�
  4. 充電器與適配器:便攜式電子設(shè)備快充解決方案中的關(guān)鍵組��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化:如機(jī)器人控制、可編程邏輯控制� (PLC) 等需要高效功率管理的�(chǎng)合�

替代型號(hào)

CSD18501Q5B, CSD18521Q5B, CSD18531Q5B

csd18510q5b推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

csd18510q5b參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�7,421�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �17.57000剪切帶(CT�2,500 : �8.94364卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)300A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)0.96 毫歐 @ 32A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)153 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)11400 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)156W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-VSON-CLIP�5x6�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN